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VN2460N3-G Microchip Technology
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Technische Details VN2460N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: VN2460, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VN2460N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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VN2460N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
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VN2460N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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VN2460N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Kind of package: bulk On-state resistance: 20Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.16A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VN2460N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Kind of package: bulk On-state resistance: 20Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.16A |
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VN2460N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VN2460 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN2460N3-G Produktcode: 104102 |
![]() ZCODE: 8541290010 |
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VN2460N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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