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Technische Details VN0104N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote VN0104N3-G nach Preis ab 0.84 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VN0104N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
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VN0104N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VN0104N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
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VN0104N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN0104N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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