USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
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Technische Details USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
Category: Transil diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Case: SO8, Max. off-state voltage: 12V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 5A, Breakdown voltage: 13.3V, Leakage current: 1µA, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS array 2 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 12V |
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| USB50812CE3/TR7 |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: SO8 Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 13.3V Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: SO8 Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 13.3V Leakage current: 1µA |
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