UMG5NTR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
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Technische Details UMG5NTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMG5NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-353, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Weitere Produktangebote UMG5NTR nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UMG5NTR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA |
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UMG5NTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
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UMG5NTR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMG5NTR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UMG5NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
auf Bestellung 4470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UMG5NTR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UMG5NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
auf Bestellung 4470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UMG5N TR | Hersteller : ROHM |
auf Bestellung 57200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| UMG5 N TR | Hersteller : ROHM | SOT353 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| UMG5NTR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88A,SOT353 Mounting: SMD Case: SC88A; SOT353 Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 68 Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| UMG5NTR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88A,SOT353 Mounting: SMD Case: SC88A; SOT353 Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Current gain: 68 Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W |
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