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TTC004B,Q

TTC004B,Q Toshiba

531648894881640531647290551933ttc004b_datasheet_en_20180223.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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Technische Details TTC004B,Q Toshiba

Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO126N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 10 W.

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TTC004B,Q TTC004B,Q Hersteller : Toshiba 531648894881640531647290551933ttc004b_datasheet_en_20180223.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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TTC004B,Q TTC004B,Q Hersteller : Toshiba TTC004B_datasheet_en_20180223-1102342.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
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TTC004B,Q TTC004B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTC004B_datasheet_en_20180223.pdf?did=14400&prodName=TTC004B Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
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TTC004B,Q Hersteller : Toshiba TTC004B_datasheet_en_20180223.pdf?did=14400&prodName=TTC004B Транз. Біполярний NPN TO-126N-3 Uceo=160V; Ic=1,5A; Pdmax=10W; hfe=140/280
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TTC004B,Q
Produktcode: 144441 		TTC004B_datasheet_en_20180223.pdf?did=14400&prodName=TTC004B Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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