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TTA004B,Q

TTA004B,Q Toshiba

TTA004B_datasheet_en_20170109-1102732.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans
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Technische Details TTA004B,Q Toshiba

Description: TRANS PNP 160V 1.5A TO126N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-126N, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 10 W.

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TTA004B,Q TTA004B,Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B_datasheet_en_20170109.pdf?did=14399&prodName=TTA004B Description: TRANS PNP 160V 1.5A TO126N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
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TTA004B,Q Hersteller : Toshiba TTA004B_datasheet_en_20170109.pdf?did=14399&prodName=TTA004B Транз. Біполярний PNP TO-126N-3 Uceo=-160V; Ic=-1,5A; Pdmax=10W; hfe=140/280
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TTA004B,Q Hersteller : Toshiba 2500952427942125008037817267tta004b_datasheet_en_20170109.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack
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