TTA004B,Q(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1.5W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO126
Current gain: 80...280
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1.5W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO126
Current gain: 80...280
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details TTA004B,Q(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA004B,Q(S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 10 W, TO-126N, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-126N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TTA004B,Q(S nach Preis ab 0.44 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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TTA004B,Q(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1.5W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: TO126 Current gain: 80...280 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TTA004B,Q(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TTA004B,Q(S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 10 W, TO-126N, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-126N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TTA004B,Q(S) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TTA004B,Q(S | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126N Sack |
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