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TSM220NB06CR RLG

TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor

tsm220nb06cr_c2401.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
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Technische Details TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_c2401.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR_C2401.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
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Mindestbestellmenge: 15
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM220NB06CR_C2401.pdf MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_c2401.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_c2401.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR_C2401.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR_C2401.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
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