TRS12N65FB,S1Q Toshiba
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Technische Details TRS12N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TRS12N65FB,S1Q | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
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TRS12N65FB,S1Q Produktcode: 188826 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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