TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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Technische Details TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TPH4R008QM,LQ(M1 nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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TPH4R008QM,LQ(M1 | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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| TPH4R008QM,LQ(M1 | Hersteller : Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
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| TPH4R008QM,LQ(M1 | Hersteller : Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
auf Bestellung 285000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH4R008QM,LQ(M1 | Hersteller : Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH4R008QM,LQ(M1 | Hersteller : Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE |
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