TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14245 Stücke:
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Technische Details TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TPH1R005PL,L1Q(M nach Preis ab 1.14 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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TPH1R005PL,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 14245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH1R005PL,L1Q(M | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-channel MOS |
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| TPH1R005PL,L1Q(M | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-channel MOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TPH1R005PL,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 280A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TPH1R005PL,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 45V Drain current: 280A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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