![TP5322N8-G TP5322N8-G](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SOT_89_3_t.jpg)
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Technische Details TP5322N8-G Microchip Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -220V, Pulsed drain current: -0.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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TP5322N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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TP5322N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TP5322N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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