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TP2540N8-G Microchip Technology
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Technische Details TP2540N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote TP2540N8-G nach Preis ab 1.34 EUR bis 3.17 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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TP2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: -400V Drain current: -125mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TP2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: -400V Drain current: -125mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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TP2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TP2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TP2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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TP2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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