TP2104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -175mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -175mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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82+ | 0.87 EUR |
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117+ | 0.61 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
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Technische Details TP2104N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote TP2104N3-G nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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TP2104N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -175mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | MOSFETs 40V 6Ohm |
auf Bestellung 1681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
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TP2104N3-G | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
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