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TP0610T-G

TP0610T-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TP0610T-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology TP0610T_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_F-3442167.pdf MOSFETs -60V 100hm
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TP0610T-G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.05A; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.05A
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TP0610T-G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.05A; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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TP0610T-G TP0610T-G Hersteller : Microchip Technology tp0610t.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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