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TN2501N8-G Microchip Technology
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Technische Details TN2501N8-G Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 18V, Pulsed drain current: 0.25A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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TN2501N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 18V Pulsed drain current: 0.25A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 18V Pulsed drain current: 0.25A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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