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TN0620N3-G

TN0620N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details TN0620N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92
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Polarisation: unipolar
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Type of transistor: N-MOSFET
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
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Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : Microchip Technology supertex_tn0620-1181278.pdf MOSFET 200V 6Ohm
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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : MICROCHIP 2595653.pdf Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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TN0620N3-G TN0620N3-G Hersteller : Microchip Technology tn062020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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