TK7R7P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 405 Stücke:
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Technische Details TK7R7P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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TK7R7P10PL,RQ(S2 | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7R7P10PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK7R7P10PL,RQ(S2 | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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