![TK65A10N1,S4X(S TK65A10N1,S4X(S](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/a2e157ad047f02ada0f312237d48474625b4af63/to-220sis.jpg)
TK65A10N1,S4X(S Toshiba
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
61+ | 2.55 EUR |
67+ | 2.24 EUR |
100+ | 1.75 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK65A10N1,S4X(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 148A, On-state resistance: 4.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 81nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 850 Stücke.
Weitere Produktangebote TK65A10N1,S4X(S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 850 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |