TK42A12N1,S4X(S Toshiba
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Technische Details TK42A12N1,S4X(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 42A, Power dissipation: 35W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TK42A12N1,S4X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK42A12N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 120V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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TK42A12N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 42A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK42A12N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 42A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 42A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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