TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 894 Stücke:
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Technische Details TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK16E60W,S1VX(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TK16E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK16E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK16E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 750 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK16E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.8A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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