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TK16A60W,S4VX(M

TK16A60W,S4VX(M Toshiba

1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Technische Details TK16A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Hersteller : TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Hersteller : TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
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TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Hersteller : TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Hersteller : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Hersteller : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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