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TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
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Technische Details TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 375W, Case: TO220SM, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 121nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
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TK160F10N1L,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
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