![TK13A60D(STA4,Q,M) TK13A60D(STA4,Q,M)](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_FullPack_3_t.jpg)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.88 EUR |
10+ | 4.38 EUR |
100+ | 3.59 EUR |
500+ | 3.06 EUR |
1000+ | 2.73 EUR |
2500+ | 2.31 EUR |
10000+ | 2.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote TK13A60D(STA4,Q,M)
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
TK13A60D Produktcode: 164153 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||
TK13A60D | Hersteller : Toshiba | Toshiba |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |