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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK10P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13502&prodName=TK10P60W Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
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Technische Details TK10P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.

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TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Hersteller : Toshiba TK10P60W_datasheet_en_20140917-1140053.pdf MOSFETs N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
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TK10P60W,RVQ TK10P60W,RVQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK10P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13502&prodName=TK10P60W Description: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
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