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TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA
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Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1203 Stücke:
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Technische Details TK10E60W,S1VX(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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TK10E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
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TK10E60W,S1VX(S | Hersteller : Toshiba |
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TK10E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Power dissipation: 100W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK10E60W,S1VX(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Power dissipation: 100W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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