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TK10A80E,S4X

TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E
Produktcode: 203788
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Transistoren > MOSFET N-CH

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TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Hersteller : Toshiba TK10A80E_datasheet_en_20140304-1150806.pdf MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
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TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80E_datasheet_en_20140304.pdf?did=14235&prodName=TK10A80E Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
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TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Hersteller : Toshiba 6042docget.jsplangenpidtk10a80etypedatasheet.jsplangenpidtk10a80etype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X Hersteller : Toshiba 6042docget.jsplangenpidtk10a80etypedatasheet.jsplangenpidtk10a80etype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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