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TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX Toshiba

TK10A60W5_datasheet_en_20140225-1916222.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
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Technische Details TK10A60W5,S5VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V.

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TK10A60W5,S5VX TK10A60W5,S5VX Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14291&prodName=TK10A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
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TK10A60W5,S5VX TK10A60W5,S5VX Hersteller : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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