TK100E10N1,S1X(S Toshiba
auf Bestellung 27300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 61+ | 2.56 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| 2000+ | 2.12 EUR |
| 2500+ | 1.7 EUR |
| 3000+ | 1.62 EUR |
| 5000+ | 1.49 EUR |
| 10000+ | 1.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK100E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK100E10N1,S1X(S nach Preis ab 1.42 EUR bis 2.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 27300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 255W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 27314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
TK100E10N1,S1X(S Produktcode: 199160 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|