TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
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| 37+ | 1.94 EUR |
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Technische Details TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK100A06N1,S4X(S nach Preis ab 1.94 EUR bis 6.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 263A On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 263A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
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