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TEMT7000X01

TEMT7000X01 Vishay

doc81961.pdf Hersteller: Vishay
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
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Technische Details TEMT7000X01 Vishay

Description: VISHAY - TEMT7000X01 - Fototransistor, 850 nm, 60 °, 100 mW, 2 Pin(s), 0805, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 850nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 60°, Bauform - Transistor: 0805, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : VISHAY TEMT7000X01.pdf Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 0805; λp max: 850nm; 20V; 60°; Lens: transparent
Mounting: SMD
Case: 0805
Viewing angle: 60°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength: 470...1090nm
Collector-emitter voltage: 20V
Wavelength of peak sensitivity: 850nm
LED lens: transparent
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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166+ 0.43 EUR
243+ 0.29 EUR
257+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : VISHAY TEMT7000X01.pdf Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 0805; λp max: 850nm; 20V; 60°; Lens: transparent
Mounting: SMD
Case: 0805
Viewing angle: 60°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength: 470...1090nm
Collector-emitter voltage: 20V
Wavelength of peak sensitivity: 850nm
LED lens: transparent
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166+ 0.43 EUR
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay Semiconductors temt7000x01.pdf Phototransistors 0805 470-1090nm +/-60 deg
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division temt7000x01.pdf Description: PHOTOTRANSISTOR 470 TO 1090 NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 120°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 3168 Stücke:
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18+ 1.01 EUR
100+ 0.66 EUR
1000+ 0.52 EUR
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay doc81961.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 850nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : VISHAY 2049642.pdf Description: VISHAY - TEMT7000X01 - Fototransistor, 850 nm, 60 °, 100 mW, 2 Pin(s), 0805
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 850nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 60°
Bauform - Transistor: 0805
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay doc81961.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 850nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : VISHAY 2049642.pdf Description: VISHAY - TEMT7000X01 - Fototransistor, 850 nm, 60 °, 100 mW, 2 Pin(s), 0805
tariffCode: 85414900
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Wellenlänge, typ.: 850nm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 60°
Bauform - Transistor: 0805
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1907 Stücke:
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay temt7000x01.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 850nm Automotive 2-Pin SMD T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : VISHAY 2049642.pdf Description: VISHAY - TEMT7000X01 - Fototransistor, 850 nm, 60 °, 100 mW, 2 Pin(s), 0805
tariffCode: 85414090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 60°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 850nm
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TEMT7000X01 Hersteller : Vishay temt7000x01.pdf Phototransistor; SMD 0805; 850nm; Vce 20V; Ic 20mA; 100mW; ±60°; 2x1,25x0,85mm; -40°C ~ 100°C; TEMT7000X01 OIO TEMT7000x01
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay doc81961.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 850nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
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TEMT7000X01 TEMT7000X01 Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division temt7000x01.pdf Description: PHOTOTRANSISTOR 470 TO 1090 NM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 120°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
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