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TDTA114E,LM(T Toshiba


tdta114e_datasheet_en_20201113.pdf Hersteller: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type
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Technische Details TDTA114E,LM(T Toshiba

Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 50V, Case: SOT23, Collector current: 0.1A, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: PNP, Power dissipation: 0.32W, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, Frequency: 250MHz, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TDTA114E,LM(T TDTA114E,LM(T Hersteller : TOSHIBA TDTA114E.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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TDTA114E,LM(T TDTA114E,LM(T Hersteller : TOSHIBA TDTA114E.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.32W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
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