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SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3 VISHAY


SUP%2CSUB85N10-10.pdf Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Case: TO220AB
Drain current: 85A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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26+2.77 EUR
28+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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Technische Details SUP85N10-10-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Case: TO220AB
Drain current: 85A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.36 EUR
50+5.82 EUR
100+4.99 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.10 EUR
10+8.68 EUR
25+5.17 EUR
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Hersteller : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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