SUP85N10-10-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Case: TO220AB
Drain current: 85A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 19+ | 3.93 EUR |
| 26+ | 2.77 EUR |
| 28+ | 2.62 EUR |
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Technische Details SUP85N10-10-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUP85N10-10-GE3 nach Preis ab 2.53 EUR bis 10.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Case: TO220AB Drain current: 85A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 160nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP85N10-10-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |