![SUP50020E-GE3 SUP50020E-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/TO-220AB_DSL.jpg)
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Technische Details SUP50020E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A, Mounting: THT, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 375W, Gate charge: 128nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 120A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 2.7mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Mounting: THT Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Gate charge: 128nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.7mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUP50020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Mounting: THT Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Gate charge: 128nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.7mΩ |
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