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Technische Details SUM110P06-08L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUM110P06-08L-E3 nach Preis ab 1.93 EUR bis 7.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 272W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 240nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 272W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 240nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V |
auf Bestellung 160831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM110P0608LE3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SUM110P06-08L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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