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Technische Details SUM110P06-07L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUM110P06-07L-E3 nach Preis ab 1.94 EUR bis 6.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 59200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1337 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 12424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 37277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 22691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUM110P06-07L-E3 Produktcode: 141393 |
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