Produkte > VISHAY SILICONIX > SUD50N04-8M8P-4GE3
SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix

sud50n04.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SUD50N04-8M8P-4GE3 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.49 EUR
58+ 1.23 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 49
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.49 EUR
58+ 1.23 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 49
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sud50n04.pdf MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.02 EUR
10+ 1.67 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
auf Bestellung 3324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.04 EUR
11+ 1.66 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0009485304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 53306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Hersteller : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar