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STW70N60DM2

STW70N60DM2 STMicroelectronics

STW70N60DM2-DTE.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details STW70N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics STW70N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Mounting: THT
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm2-1852286.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006719343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW70N60DM2 STW70N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics stw70n60dm2.pdf Description: N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
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