STW65N045M9-4 STMicroelectronics
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 19.64 EUR |
| 10+ | 16.84 EUR |
| 30+ | 15.28 EUR |
| 120+ | 14.03 EUR |
| 270+ | 13.22 EUR |
| 510+ | 12.37 EUR |
| 1020+ | 11.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STW65N045M9-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote STW65N045M9-4 nach Preis ab 15.73 EUR bis 19.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW65N045M9-4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
| STW65N045M9-4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |