STW3N170 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 8.94 EUR |
| 30+ | 7.09 EUR |
| 120+ | 6.08 EUR |
| 510+ | 5.4 EUR |
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Technische Details STW3N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STW3N170 nach Preis ab 4.51 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW3N170 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STW3N170 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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