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STW20NK50Z

Name: STW20NK50Z
Brand: ST
SKU: 2710
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 2710

Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT

auf Bestellung 178 Stück:

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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 924 Stücke:

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33+	2.22 EUR
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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

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33+	2.22 EUR
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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

auf Bestellung 1155 Stücke:

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100+	4.12 EUR
250+	3.75 EUR
600+	3.73 EUR

STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

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STW20NK50Z

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGSTS35366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm

auf Bestellung 4571 Stücke:

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STW20NK50Z

Hersteller : ST

N-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	5.71 EUR

Mindestbestellmenge: 10

STW20NK50Z

auf Bestellung 922 Stücke:

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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STW20NK50Z

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Produktcode: 2430

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 986 Stück

erwartet: 10000 Stück

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1+	0.26 EUR
10+	0.22 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.03 EUR

IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

auf Bestellung 11096 Stück:

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Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1.5 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1 EUR

Isolierungkappe fur Gehause TO-3 (KLS8-0323-TO-3PCV)
Produktcode: 83758

Hersteller: KLS
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierungskappe ans Gehause TO-3P
Größe: fuer Gehause TO-3P
Матеріал: Силікон

auf Bestellung 895 Stück:

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10+	0.096 EUR
100+	0.072 EUR

FEP30JP-E3/45
Produktcode: 113352

Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Trr, ns: 35 ns

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BT169G
Produktcode: 1080

Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 600V
I-auf,mA: 0,2mA
Imax,A: 0,8A

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