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STW12NK80Z

STW12NK80Z

8977ferf7hfw.pdf
Produktcode: 33689
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
JHGF: THT
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 33
STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics stb12nk80z-1850221.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
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3+6.92 EUR
30+ 5.47 EUR
120+ 4.69 EUR
510+ 4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics 2645cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Produktcode: 1318		 EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 12089 Stück
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11090 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1N5408
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Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
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100 Stück - stock Köln
4297 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 Stück
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10+ 0.049 EUR
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+1
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 1000uF
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Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x40mm
Lebensdauer: 35x40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Kapazität: 4,7uF
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Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
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№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 17760 Stück
300 Stück - stock Köln
17460 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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BZV55-C4V7
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Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 4,7
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 3625 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 300 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
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