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Technische Details STS6NF20V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; Idm: 24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 20 Volt 6 Amp |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V |
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STS6NF20V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STS6NF20V | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STS6NF20V | Hersteller : ST |
N-MOSFET 6A 20V 2.5W STS6NF20V STM TSTS6NF20V Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS6NF20V | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V |
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