STS4DNF60L STMicroelectronics
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Technische Details STS4DNF60L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STS4DNF60L nach Preis ab 0.48 EUR bis 3.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 6063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
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| STS4DNF60L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R |
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