STP7N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Technische Details STP7N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP7N60M2 nach Preis ab 0.84 EUR bis 3.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 8.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 1548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP7N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |