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STP6NK60ZFP

STP6NK60ZFP

STP6NK60ZFP.pdf
Produktcode: 1169
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP6NK60ZFP ST

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:6A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:1.2ohm
  • Power Dissipation:32W
  • Power Dissipation Pd:32W
  • Pulse Current Idm:24A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics STP6NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics STP6NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics stb6nk60z-1850284.pdf MOSFETs N-Channel 600V Zener SuperMESH
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002937.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
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100+ 1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002937.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00002937.pdf MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
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STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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UC3842BN
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IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
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erwartet 20 Stück:
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Transistoren > HF-Transistoren
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Typ: NPN
Uce, V: 15
Ucb, V: 20
Ic, A: 0,1
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Produktcode: 2430		 EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 986 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
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1000+ 0.03 EUR
KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661		 description KBP310.pdf
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
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Urew: 1000V
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Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
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erwartet: 100 Stück
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