STP6N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STP6N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP6N60M2 nach Preis ab 1.1 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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STP6N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STP6N60M2 Produktcode: 94670 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
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