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STP5NK100Z STMicroelectronics
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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37+ | 1.96 EUR |
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Technische Details STP5NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STP5NK100Z nach Preis ab 1.27 EUR bis 6.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A On-state resistance: 3.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 24348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 15383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP5NK100Z | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP5NK100Z Produktcode: 119074 |
Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 1000 V Idd,A: 3,5 A Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1154/42 JHGF: THT |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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