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STP10NK60Z

STP10NK60Z

STP10NK60Z.pdf
Produktcode: 14727
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
auf Bestellung 77 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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Hersteller : ST STP10NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 575 Stück:
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
38+1.90 EUR
67+1.07 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
38+1.90 EUR
67+1.07 EUR
72+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 3526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+5.88 EUR
10+5.49 EUR
25+3.03 EUR
100+2.85 EUR
500+2.68 EUR
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.02 EUR
50+3.01 EUR
100+2.93 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP10NK60Z STP10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 575 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
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UC3845BD1R2G
Produktcode: 188094
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uc3845b.pdf
UC3845BD1R2G
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 50 kHz
auf Bestellung 410 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3415PBF
Produktcode: 34305
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irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
JHGF: THT
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UC3842BD1013TR
Produktcode: 40721
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CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1000mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung 673 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.37 EUR
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1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 51184
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1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 1,0 Ohm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 772 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 Stück:
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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