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STN3NF06L STMicroelectronics
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Technische Details STN3NF06L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STN3NF06L nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 76000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 76106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 67072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 64289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 67246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : VBsemi |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN3NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN3NF06L Produktcode: 162455 |
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